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2SB0950AP中文资料

2SB0950AP图片

2SB0950AP外观图

  • 大小:64.29KB
  • 厂家:
  • 描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
  • 数据列表:2SB0950AP View All Specifications
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):4V @ 20mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):4000 @ 3A,3V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:20MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220F-A1
  • 包装:散装
  • 其它名称:2SB0950A2SB0950A-ND2SB950A2SB950A-ND

2SB0950AP供应商

更新时间:2023-01-04 02:17:22
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